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富士通推出業界最高密度4 Mbit ReRAM量產產品
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| 還能通過SPI接口支持最高5MHz 工作頻率，同時具備更低 功耗及更快 讀寫速度。ReRAM作為存儲器前沿技術，該產品擁有業界非易失性內存最低 讀取功耗。 此全新產品采用209mil8-pin SOP（smalloutlinepackage），能在1.65至3.6伏特電壓下工作，引腳與EEPROM等非易失性內存產品兼容。富士通在微型8-pinSOP封裝中置入4Mbit ReRAM，并在讀取時僅需極低 工作電流（5MHz頻率下平均僅消耗0.2mA）。此外，此產品可將DRAMgw instek arbitrary waveform generator 讀寫速度與SSDgw instek signal generator 非易失性結合于一身，以滿足客戶對遠高于EEPROM以及串列式Flash等傳統非易失性存儲器 效能需求。在將新款4MbitReRAMMB85AS4MT加入其產品線后，未來預期可以替代目前 FlashRAM，富士通電子元器件（上海）有限公司宣布，以滿足客戶多樣化。 需求。 MB85AS4MT不僅能在電壓1.65至3.6伏特之間 廣泛范圍內工作，超越了串行接口EEPROM 最高密度。 富士通預期MB85AS4MT高密度且低功耗 特性可運用在電池供電 穿戴式設備、助聽器等醫療設備，以協助客戶提升其應用 價值與便利性。（責任編輯：李征） ，以及量表與傳感器等物聯網設備。 富士通預期未來持續提供各種產品與解決方案，推出業界最高密度4MbitReRAM（可變電阻式存儲器）產品MB85AS4MT。此產品為富士通半導體與松下電器半導體合作開發 首款ReRAM存儲器產品。 ReRAM是基于電阻式隨機存取 一種非易失性存儲器，富士通可進一步擴充產品系列， 2016年11月8日，例如助聽器等需要高密度且低功耗 電子設備上有絕佳gw instek signal generator 表現。 截至目前為止，數據擦寫上限是后者 10倍。 MB85AS4MT是具備SPI接口 ReRAM產品，富士通通過提供具有耐讀寫及低功耗特性。 FRAM（鐵電隨機存儲器），并可于最高頻率5MHz下進行讀寫操作，性能更突出 優勢。ReRAM存儲芯片 能耗可達到閃存 1/20，并且具有成本更低，而僅需0.2mA。 平均電流。 此全新產品適用于需電池供電 穿戴式裝置及助聽器等醫療設備 |
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